rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (PVV34G1333LLK). Отзывы о Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (PVV34G1333LLK).
bg

Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (PVV34G1333LLK) отзывы.

Вся память >> PATRIOT >> Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (PVV34G1333LLK)

Описание Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (PVV34G1333LLK): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 7; RAS to CAS Delay (tRCD): 7; Row Precharge Delay (tRP): 7; Activate to Precharge Delay (tRAS): 20;...



Добавить отзыв о Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (PVV34G1333LLK)
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (PGV34G1600ELK)
Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (PGV34G1600ELK) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): ...
Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (PVV34G1600LLKB)
Patriot 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (PVV34G1600LLKB) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): ...


bg