rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3V1333LV3GK). Отзывы о OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3V1333LV3GK).
bg

OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3V1333LV3GK) отзывы.

Вся память >> OCZ >> OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3V1333LV3GK)

Описание OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3V1333LV3GK): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 3 модуля по 1; Напряжение питания: 1.65 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 20;...



Добавить отзыв о OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3V1333LV3GK)
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Transcend TS1GKR72W6H
Transcend TS1GKR72W6H Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряж...
Mushkin 993995
Mushkin 993995 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg