rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3G1333LV3GK). Отзывы о OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3G1333LV3GK).
bg

OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3G1333LV3GK) отзывы.

Вся память >> OCZ >> OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3G1333LV3GK)

Описание OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3G1333LV3GK): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 3 модуля по 1; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 20;...



Добавить отзыв о OCZ 3 GB (3x1GB) DDR3 1333 MHz (3G1333LV3GK)
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR800D264L5/1G
GoodRAM GR800D264L5/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; CAS Latency (CL): 5;...
Silicon Power SP512MBLDU333O02
Silicon Power SP512MBLDU333O02 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 2.5 В; Количество чипов каждого модуля: 8 о...


bg