rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Lexar LD4AS016G-B3200GSST. Отзывы о Lexar LD4AS016G-B3200GSST.
bg

Lexar LD4AS016G-B3200GSST отзывы.

Вся память >> Lexar >> Lexar LD4AS016G-B3200GSST

Описание Lexar LD4AS016G-B3200GSST: Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 3 200 МГц; Пропускная способность: 25 600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; Поддержка XMP: нет; Игровая: нет; CL: 22; Напряжение питания: 1.2 В;...



Добавить отзыв о Lexar LD4AS016G-B3200GSST
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM IR-XR3200D464L16A/16G
GoodRAM IR-XR3200D464L16A/16G Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 3 200 МГц; Пропускная способность: 25 600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;...
Samsung M393A4K40EB3-CWE
Samsung M393A4K40EB3-CWE Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 32 Гб; Количество модулей: 1; Количество рангов: 2; Тактовая частота: 3 200 МГц; Пропускная способность: 25 600 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованн...


bg