rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB. Отзывы о Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB.
bg

Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB

Описание Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB: Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: есть; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Производитель микросхем: Hynix (B-Die); Число микросхем: 20 (18 2x ECC); Ёмкость микросхем: 2 Гбит; Тип микросхем: 256Mx8; Профили XMP: нет; Охлаждение: нет; Низкопрофильный модуль: нет;...



Добавить отзыв о Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston ValueRAM 8GB DDR3 PC3-10600 (KVR1333D3E9S/8G)
Kingston ValueRAM 8GB DDR3 PC3-10600 (KVR1333D3E9S/8G) Набор: нет; Объем: 8 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: есть; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 2; Число микросхем: 18; Ёмк...
Kingston ValueRAM KVR1333D3N9/1G
Kingston ValueRAM KVR1333D3N9/1G Набор: нет; Объем: 1 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1333 МГц; PC-индекс: PC3-10600; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9; Напряжение питания: 1.5 В; Количество банков: 1; Число микросхем: 8; Ёмкос...


bg