rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR533D2N4/1G. Отзывы о Kingston KVR533D2N4/1G.
bg

Kingston KVR533D2N4/1G отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR533D2N4/1G

Описание Kingston KVR533D2N4/1G: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Дополнительные характеристики: Позолоченные контакты; CAS Latency (CL): 4;...



Добавить отзыв о Kingston KVR533D2N4/1G
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Transcend TS4GIB4792
Transcend TS4GIB4792 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 2 модуля по 2; Напряжен...
Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 1Gb
Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 1Gb Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge...


bg