rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR18R13D4/16. Отзывы о Kingston KVR18R13D4/16.
bg

Kingston KVR18R13D4/16 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR18R13D4/16

Описание Kingston KVR18R13D4/16: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 16 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 36 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13;...



Добавить отзыв о Kingston KVR18R13D4/16
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR16S11/2
Kingston KVR16S11/2 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество ...
Transcend TS128MSQ64V8U
Transcend TS128MSQ64V8U Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 8 дву...


bg