rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16S11/2. Отзывы о Kingston KVR16S11/2.
bg

Kingston KVR16S11/2 отзывы.


Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16S11/2

Описание Kingston KVR16S11/2: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8 односторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...




Добавить отзыв о Kingston KVR16S11/2
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Transcend TS128MSQ64V8U
Transcend TS128MSQ64V8U Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 8 дву...
Hynix DDR2 800 SO-DIMM 1Gb
Hynix DDR2 800 SO-DIMM 1Gb Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В;...


bg