rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16R11S4/4. Отзывы о Kingston KVR16R11S4/4.
bg

Kingston KVR16R11S4/4 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16R11S4/4

Описание Kingston KVR16R11S4/4: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 18 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о Kingston KVR16R11S4/4
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GY1600D364L10/8G
GoodRAM GY1600D364L10/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10;...
Kingston KHX1333C7D3/2G
Kingston KHX1333C7D3/2G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.7 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть;...


bg