rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16R11D4/16. Отзывы о Kingston KVR16R11D4/16.
bg

Kingston KVR16R11D4/16 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16R11D4/16

Описание Kingston KVR16R11D4/16: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 16 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 36 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о Kingston KVR16R11D4/16
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP008GBSTU160N02
Silicon Power SP008GBSTU160N02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб;...
G.SKILL F3-1866C10D-16GSR
G.SKILL F3-1866C10D-16GSR Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg