rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16N11S8/4. Отзывы о Kingston KVR16N11S8/4.
bg

Kingston KVR16N11S8/4 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16N11S8/4

Описание Kingston KVR16N11S8/4: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8 односторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о Kingston KVR16N11S8/4
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Crucial CT51264BA160BJ
Crucial CT51264BA160BJ Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...
Kingston KVR800D2N6/2G
Kingston KVR800D2N6/2G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двус...


bg