rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16N11S6/2. Отзывы о Kingston KVR16N11S6/2.
bg

Kingston KVR16N11S6/2 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16N11S6/2

Описание Kingston KVR16N11S6/2: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4 односторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о Kingston KVR16N11S6/2
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GYS1866D364L9A/8GDC
GoodRAM GYS1866D364L9A/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
GoodRAM W-AMM13338G
GoodRAM W-AMM13338G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 1 модуль 8 Гб; Совместимость: MacBook, MacBook Pro, iMac;...


bg