Kingston KVR16N11H/8 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16N11H/8

Описание Kingston KVR16N11H/8: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...

Добавить отзыв о Kingston KVR16N11H/8

Популярные сегодня

G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT
	Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge De...

Kingston KTH-X3C/8G
	Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Совместимость: для ноутбуков HP/C...

Имя:
Отзыв:

	10+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.