rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16N11H/4. Отзывы о Kingston KVR16N11H/4.
bg

Kingston KVR16N11H/4 отзывы.


Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16N11H/4

Описание Kingston KVR16N11H/4: Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Количество ранков: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 11; tRCD: 11; tRP: 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество: 16; Упаковка: двусторонняя;...




Добавить отзыв о Kingston KVR16N11H/4
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Kingston KVR16LR11D4L/16
Kingston KVR16LR11D4L/16 Тип: DDR3L; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Количество ранков: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Подде...
Hynix DDR3 1866 SO-DIMM 4Gb
Hynix DDR3 1866 SO-DIMM 4Gb Тип: DDR3; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 204; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфериз...


bg