rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16N11/8. Отзывы о Kingston KVR16N11/8.
bg

Kingston KVR16N11/8 отзывы.


Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16N11/8

Описание Kingston KVR16N11/8: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...




Добавить отзыв о Kingston KVR16N11/8
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Crucial BLS4G3D1609DS1S00
Crucial BLS4G3D1609DS1S00 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...
GoodRAM GYB1600D364L9/8GDC
GoodRAM GYB1600D364L9/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9;...


bg