rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16N11/4. Отзывы о Kingston KVR16N11/4.
bg

Kingston KVR16N11/4 отзывы.


Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16N11/4

Описание Kingston KVR16N11/4: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...




Добавить отзыв о Kingston KVR16N11/4
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Kingston KHX16C9B1B/4
Kingston KHX16C9B1B/4 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 2; Количество ч...
Kingston KTH-XW667/8G
Kingston KTH-XW667/8G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 2 модуля по 4; Радиа...


bg