rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16LR11D8/8. Отзывы о Kingston KVR16LR11D8/8.
bg

Kingston KVR16LR11D8/8 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16LR11D8/8

Описание Kingston KVR16LR11D8/8: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 18 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о Kingston KVR16LR11D8/8
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP002GBSTU160W02
Silicon Power SP002GBSTU160W02 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; CAS Latency...
Team Group TED38G1866C13-S01
Team Group TED38G1866C13-S01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS ...


bg