rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16LR11D4/16. Отзывы о Kingston KVR16LR11D4/16.
bg

Kingston KVR16LR11D4/16 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16LR11D4/16

Описание Kingston KVR16LR11D4/16: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 16 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 36 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о Kingston KVR16LR11D4/16
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Transcend TS512MSK64V3H
Transcend TS512MSK64V3H Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay ...
Kingston HX318C9SR/8
Kingston HX318C9SR/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя ...


bg