rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR16E11S8/4. Отзывы о Kingston KVR16E11S8/4.
bg

Kingston KVR16E11S8/4 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR16E11S8/4

Описание Kingston KVR16E11S8/4: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 9 односторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11;...



Добавить отзыв о Kingston KVR16E11S8/4
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR16N11/8
Kingston KVR16N11/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чи...
Crucial BLS4G3D1609DS1S00
Crucial BLS4G3D1609DS1S00 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...


bg