rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR13N9S8/2. Отзывы о Kingston KVR13N9S8/2.
bg

Kingston KVR13N9S8/2 отзывы.


Вся память >> Kingston >> Kingston KVR13N9S8/2

Описание Kingston KVR13N9S8/2: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;...




Добавить отзыв о Kingston KVR13N9S8/2
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


G.SKILL FA-5300CL5S-1GBSQ
G.SKILL FA-5300CL5S-1GBSQ Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В; Совместимость с ПК: APPLE; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): ...
G.SKILL F3-2666C11D-8GTXD
G.SKILL F3-2666C11D-8GTXD Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2666 МГц; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg