Kingston KVR13LSE9/8 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR13LSE9/8

Описание Kingston KVR13LSE9/8: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 18 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;...

Добавить отзыв о Kingston KVR13LSE9/8

Популярные сегодня

Samsung DDR3 1600 DIMM 2Gb
	Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Объем: 1 модуль 2; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упа...

Kingston KVR16R11D4/8
	Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряж...

Имя:
Отзыв:

	8+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.