Kingston KVR13LSE9/4 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR13LSE9/4

Описание Kingston KVR13LSE9/4: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 18 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;...

Добавить отзыв о Kingston KVR13LSE9/4

Популярные сегодня

Silicon Power SP001GBLDU400O02
	Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 2.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов ка...

Kingston KVR667D2S4F5/2G
	Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб...

Имя:
Отзыв:

	5+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.