rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR13LR9S4/8. Отзывы о Kingston KVR13LR9S4/8.
bg

Kingston KVR13LR9S4/8 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR13LR9S4/8

Описание Kingston KVR13LR9S4/8: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 1; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;...



Добавить отзыв о Kingston KVR13LR9S4/8
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR1600S364L11S/4G
GoodRAM GR1600S364L11S/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11;...
GoodRAM W-AMM674G
GoodRAM W-AMM674G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Совместимость: MacBook, MacBook Pro...


bg