rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR1333D3S8N9/2G. Отзывы о Kingston KVR1333D3S8N9/2G.
bg

Kingston KVR1333D3S8N9/2G отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR1333D3S8N9/2G

Описание Kingston KVR1333D3S8N9/2G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...



Добавить отзыв о Kingston KVR1333D3S8N9/2G
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Team Group TED32G1333C9-S01
Team Group TED32G1333C9-S01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10660 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS D...
Team Group TED34GM1600C11-S01
Team Group TED34GM1600C11-S01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS ...


bg