rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR1333D3LD8R9S/4G. Отзывы о Kingston KVR1333D3LD8R9S/4G.
bg

Kingston KVR1333D3LD8R9S/4G отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR1333D3LD8R9S/4G

Описание Kingston KVR1333D3LD8R9S/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 18 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9;...



Добавить отзыв о Kingston KVR1333D3LD8R9S/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KTT-S3B/2G
Kingston KTT-S3B/2G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб;...
Kingston KVR1066D3E7S/1G
Kingston KVR1066D3E7S/1G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Поддержка ECC: есть; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 9 одностор...


bg