rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR1333D3D4R9S/8GHB. Отзывы о Kingston KVR1333D3D4R9S/8GHB.
bg

Kingston KVR1333D3D4R9S/8GHB отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR1333D3D4R9S/8GHB

Описание Kingston KVR1333D3D4R9S/8GHB: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 36 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9;...



Добавить отзыв о Kingston KVR1333D3D4R9S/8GHB
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR800D2N5K2/4G
Kingston KVR800D2N5K2/4G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем памяти: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого мо...
Kingston KVR400D2S3/1G
Kingston KVR400D2S3/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого мод...


bg