rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR1066D3N7/1G. Отзывы о Kingston KVR1066D3N7/1G.
bg

Kingston KVR1066D3N7/1G отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR1066D3N7/1G

Описание Kingston KVR1066D3N7/1G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 7; RAS to CAS Delay (tRCD): 7; Row Precharge Delay (tRP): 7;...



Добавить отзыв о Kingston KVR1066D3N7/1G
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR400D2D8R3/2GI
Kingston KVR400D2D8R3/2GI Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб; Н...
Kingston KVR800D2S5K2/4G
Kingston KVR800D2S5K2/4G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем памяти: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого ...


bg