rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KVR1066D3E7SK2/4G. Отзывы о Kingston KVR1066D3E7SK2/4G.
bg

Kingston KVR1066D3E7SK2/4G отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston KVR1066D3E7SK2/4G

Описание Kingston KVR1066D3E7SK2/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Поддержка ECC: есть; Объем памяти: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 18 двусторонняя упаковка; CAS Latency (CL): 7; RAS to CAS Delay (tRCD): 7; Row Precharge Delay (tRP): 7;...



Добавить отзыв о Kingston KVR1066D3E7SK2/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KHX6400S2LLK2/2G
Kingston KHX6400S2LLK2/2G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем памяти: 2 модуля по 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS ...
Transcend TS256MHP1833
Transcend TS256MHP1833 Тип памяти: SDRAM; Форм-фактор: DIMM 168-контактный; Тактовая частота: 133 МГц; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем памяти: 1 модуль 0.256 Гб; Напряжение питания: 3.3 В; CAS ...


bg