rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston KHX6400S2LLK2/2G. Отзывы о Kingston KHX6400S2LLK2/2G.
bg

Kingston KHX6400S2LLK2/2G отзывы.


Вся память >> Kingston >> Kingston KHX6400S2LLK2/2G

Описание Kingston KHX6400S2LLK2/2G: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем памяти: 2 модуля по 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18;...




Добавить отзыв о Kingston KHX6400S2LLK2/2G
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Transcend TS256MHP1833
Transcend TS256MHP1833 Тип памяти: SDRAM; Форм-фактор: DIMM 168-контактный; Тактовая частота: 133 МГц; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем памяти: 1 модуль 0.256 Гб; Напряжение питания: 3.3 В; CAS ...
GoodRAM GR800S264L5/4G
GoodRAM GR800S264L5/4G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Количество ранков: 2; Количество чи...


bg