rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston HX326C11T2K2/8. Отзывы о Kingston HX326C11T2K2/8.
bg

Kingston HX326C11T2K2/8 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston HX326C11T2K2/8

Описание Kingston HX326C11T2K2/8: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2666 МГц; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8 односторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 14; Row Precharge Delay (tRP): 15;...



Добавить отзыв о Kingston HX326C11T2K2/8
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KTA-MB667/2G
Kingston KTA-MB667/2G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 2; Совместимость с ПК: Apple Macbook Pro; CAS Latency (CL): 5;...
Kingston KHX1866C11D3P1K2/8G
Kingston KHX1866C11D3P1K2/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля:...


bg