rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston HX324C11T2K2/8. Отзывы о Kingston HX324C11T2K2/8.
bg

Kingston HX324C11T2K2/8 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston HX324C11T2K2/8

Описание Kingston HX324C11T2K2/8: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8 односторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 14;...



Добавить отзыв о Kingston HX324C11T2K2/8
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP002GLSTU160V01
Silicon Power SP002GLSTU160V01 Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.35 В;...
HP 759934-B21
HP 759934-B21 Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряж...


bg