rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston HX324C11SRK2/16. Отзывы о Kingston HX324C11SRK2/16.
bg

Kingston HX324C11SRK2/16 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston HX324C11SRK2/16

Описание Kingston HX324C11SRK2/16: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 14;...



Добавить отзыв о Kingston HX324C11SRK2/16
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

AMD R532G1601U1S-UO
AMD R532G1601U1S-UO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS De...
Kingston HX321C11SR/8
Kingston HX321C11SR/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя ...


bg