rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston HX321C11T2K2/8. Отзывы о Kingston HX321C11T2K2/8.
bg

Kingston HX321C11T2K2/8 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston HX321C11T2K2/8

Описание Kingston HX321C11T2K2/8: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8 односторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 12; Row Precharge Delay (tRP): 12;...



Добавить отзыв о Kingston HX321C11T2K2/8
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GR1600S3V64L11/8G
GoodRAM GR1600S3V64L11/8G Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...
GoodRAM GY1600D364L9S/4G
GoodRAM GY1600D364L9S/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9...


bg