rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston HX318C10F*/4. Отзывы о Kingston HX318C10F*/4.
bg

Kingston HX318C10F*/4 отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston HX318C10F*/4

Описание Kingston HX318C10F*/4: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8 односторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 10;...



Добавить отзыв о Kingston HX318C10F*/4
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

AMD R334G1339U1S-UO
AMD R334G1339U1S-UO Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Del...
G.SKILL F3-12800CL10S-8GBXL
G.SKILL F3-12800CL10S-8GBXL Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...


bg