rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3X2K2/8GX). Отзывы о Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3X2K2/8GX).
bg

Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3X2K2/8GX) отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3X2K2/8GX)

Описание Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3X2K2/8GX): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27;...



Добавить отзыв о Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3X2K2/8GX)
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KHX1600C10D3B1/8G
Kingston KHX1600C10D3B1/8G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 2; Количество ч...
Kingston KHX1866C9D3/4G
Kingston KHX1866C9D3/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 1...


bg