rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K4/8GX). Отзывы о Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K4/8GX).
bg

Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K4/8GX) отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K4/8GX)

Описание Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K4/8GX): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем: 4 модуля по 2; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 7; RAS to CAS Delay (tRCD): 7; Row Precharge Delay (tRP): 7; Activate to Precharge Delay (tRAS): 20;...



Добавить отзыв о Kingston 8 GB (2x4GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K4/8GX)
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR18R13D8/8
Kingston KVR18R13D8/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряж...
Transcend TS512MSYRZ73
Transcend TS512MSYRZ73 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 0.512 Гб; Напряжение питания: 2.6 В; CAS Latency (CL): 3;...


bg