rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston 6 GB (3x2GB) DDR3 2000 MHz (KHX2000C9AD3W1K3/6GX). Отзывы о Kingston 6 GB (3x2GB) DDR3 2000 MHz (KHX2000C9AD3W1K3/6GX).
bg

Kingston 6 GB (3x2GB) DDR3 2000 MHz (KHX2000C9AD3W1K3/6GX) отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston 6 GB (3x2GB) DDR3 2000 MHz (KHX2000C9AD3W1K3/6GX)

Описание Kingston 6 GB (3x2GB) DDR3 2000 MHz (KHX2000C9AD3W1K3/6GX): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2000 МГц; Пропускная способность: 16000 Мб/с; Объем: 3 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 10; Row Precharge Delay (tRP): 9;...



Добавить отзыв о Kingston 6 GB (3x2GB) DDR3 2000 MHz (KHX2000C9AD3W1K3/6GX)
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F1-3200PHU1-512NT
G.SKILL F1-3200PHU1-512NT Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Объем: 1 модуль 0.512; Напряжение питания: 2.6 В; Дополнительные характеристики: напряжение питания 2.6-2.75В; CAS Latency...
G.SKILL F1-3200PHU1-512SA
G.SKILL F1-3200PHU1-512SA Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 2.75 В; CAS Latency (CL): 3;...


bg