rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 2133 MHz (KHX2133C9AD3T1K2/4GX). Отзывы о Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 2133 MHz (KHX2133C9AD3T1K2/4GX).
bg

Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 2133 MHz (KHX2133C9AD3T1K2/4GX) отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 2133 MHz (KHX2133C9AD3T1K2/4GX)

Описание Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 2133 MHz (KHX2133C9AD3T1K2/4GX): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 9;...



Добавить отзыв о Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 2133 MHz (KHX2133C9AD3T1K2/4GX)
Имя: 
Отзыв: 
  
        3+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Transcend TS1GDL8200
Transcend TS1GDL8200 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 2.5 В; CAS Latency (CL): 2.5;...
Transcend TS1GSI430
Transcend TS1GSI430 Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем памяти: 1 модуль 1 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Laten...


bg