rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K2/4G). Отзывы о Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K2/4G).
bg

Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K2/4G) отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K2/4G)

Описание Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K2/4G): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем памяти: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.7 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27;...



Добавить отзыв о Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K2/4G)
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-14900CL9D-4GBXM
G.SKILL F3-14900CL9D-4GBXM Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
HP 358347-B21
HP 358347-B21 Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряже...


bg