rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9AD3K2/4G). Отзывы о Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9AD3K2/4G).
bg

Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9AD3K2/4G) отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9AD3K2/4G)

Описание Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9AD3K2/4G): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27;...



Добавить отзыв о Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9AD3K2/4G)
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR1066D3S8S7/2G
Kingston KVR1066D3S8S7/2G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 7;...
Patriot PX538G1600LLK
Patriot PX538G1600LLK Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg