rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K2/4G). Отзывы о Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K2/4G).
bg

Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K2/4G) отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K2/4G)

Описание Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K2/4G): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Объем памяти: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.7 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 7; RAS to CAS Delay (tRCD): 7; Row Precharge Delay (tRP): 7; Activate to Precharge Delay (tRAS): 20;...



Добавить отзыв о Kingston 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (KHX1333C7D3K2/4G)
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (SP004GBSTU106V02)
Silicon Power 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (SP004GBSTU106V02) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 1...
Kingston KHX16C9K2/16
Kingston KHX16C9K2/16 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество...


bg