rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Kingston 12 GB (3x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K3/12GX). Отзывы о Kingston 12 GB (3x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K3/12GX).
bg

Kingston 12 GB (3x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K3/12GX) отзывы.

Вся память >> Kingston >> Kingston 12 GB (3x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K3/12GX)

Описание Kingston 12 GB (3x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K3/12GX): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем памяти: 3 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя упаковка; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27;...



Добавить отзыв о Kingston 12 GB (3x4GB) DDR3 1600 MHz (KHX1600C9D3K3/12GX)
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GoodRAM GP2400D364L11/8GDC
GoodRAM GP2400D364L11/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11R
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11R Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg