rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Hynix HMT125R7BFR8C-H9. Отзывы о Hynix HMT125R7BFR8C-H9.
bg

Hynix HMT125R7BFR8C-H9 отзывы.


Вся память >> Hynix >> Hynix HMT125R7BFR8C-H9

Описание Hynix HMT125R7BFR8C-H9: Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество модулей: 1; Количество контактов: 240; Количество рангов: 2; Тактовая частота: 1 333 МГц; Пропускная способность: 10 600 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованная (Registered): да; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; Поддержка XMP: нет; Игровая: нет; CL: 9; tRCD: 9; tRP: 9; tRAS: 9; Напряжение питания: 1.5 В; Чипы: Количество: 19;...




Добавить отзыв о Hynix HMT125R7BFR8C-H9
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Lexar LD4AS016G-B3200GSST
Lexar LD4AS016G-B3200GSST Тип: DDR4; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 3 200 МГц; Пропускная способность: 25 600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): не...
GoodRAM IR-XR3200D464L16A/16G
GoodRAM IR-XR3200D464L16A/16G Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 3 200 МГц; Пропускная способность: 25 600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;...


bg