rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 512Mb. Отзывы о Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 512Mb.
bg

Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 512Mb отзывы.

Вся память >> Hynix >> Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 512Mb

Описание Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 512Mb: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 512 Мб; Напряжение питания: 1.8 В; CAS Latency (CL): 3; RAS to CAS Delay (tRCD): 3; Row Precharge Delay (tRP): 3;...



Добавить отзыв о Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 512Mb
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+7= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR16E11/8
Kingston KVR16E11/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ран...
GoodRAM GR1600D364L11/4G
GoodRAM GR1600D364L11/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS De...


bg