GoodRAM W-MB413G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM W-MB413G

Описание GoodRAM W-MB413G: Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Совместимость: MacBook, MacBook Pro, iMac;...

Добавить отзыв о GoodRAM W-MB413G

Популярные сегодня

GoodRAM GR1600S3V64L11S/4G
	Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11;...

Team Group TED3L8G1600C11DC-S01
	Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to...

Имя:
Отзыв:

	6+3= *Проверочный код: сумма двух чисел.