rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GOODRAM Play 4GB DDR3 PC3-12800 (GYG1600D364L9/4G). Отзывы о GOODRAM Play 4GB DDR3 PC3-12800 (GYG1600D364L9/4G).
bg

GOODRAM Play 4GB DDR3 PC3-12800 (GYG1600D364L9/4G) отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GOODRAM Play 4GB DDR3 PC3-12800 (GYG1600D364L9/4G)

Описание GOODRAM Play 4GB DDR3 PC3-12800 (GYG1600D364L9/4G): Набор: нет; Объем: 4 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9-28; Напряжение питания: 1.5 В; Тип микросхем: 256Mx8;...



Добавить отзыв о GOODRAM Play 4GB DDR3 PC3-12800 (GYG1600D364L9/4G)
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+5= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

GOODRAM Play 2x4GB DDR3 PC3-12800 (GYG1600D364L9/8GDC)
GOODRAM Play 2x4GB DDR3 PC3-12800 (GYG1600D364L9/8GDC) Набор: есть двухканальный (2 модуля); Объем: 8 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9-28; Напряжение питания: 1.5 В; Тип микросхем: 256...
GOODRAM Play 2x4GB DDR3 PC3-12800 (GYS1600D364L9/8GDC)
GOODRAM Play 2x4GB DDR3 PC3-12800 (GYS1600D364L9/8GDC) Набор: есть двухканальный (2 модуля); Объем: 8 ГБ; Тип: DDR3 DIMM; ECC: нет; Частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 9T; Тайминги: 9-9-9-28; Напряжение питания: 1.5 В; Тип микросхем: 256...


bg