rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM IR-2400D464L17S/4G. Отзывы о GoodRAM IR-2400D464L17S/4G.
bg

GoodRAM IR-2400D464L17S/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM IR-2400D464L17S/4G

Описание GoodRAM IR-2400D464L17S/4G: Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 288; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2 400 МГц; Пропускная способность: 19 200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: да; CL: 17; tRCD: 17; tRP: 17; Напряжение питания: 1.2 В;...



Добавить отзыв о GoodRAM IR-2400D464L17S/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F4-3000C16S-8GISB
G.SKILL F4-3000C16S-8GISB Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество контактов: 288; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 3 000 МГц; Пропускная способность: 24 000 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфериз...
Crucial BLE4G3D21BCE1J
Crucial BLE4G3D21BCE1J Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 2 133 МГц; Пропускная способность: 17 000 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буфериз...


bg