rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GYS1866D364L10/16GDC. Отзывы о GoodRAM GYS1866D364L10/16GDC.
bg

GoodRAM GYS1866D364L10/16GDC отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GYS1866D364L10/16GDC

Описание GoodRAM GYS1866D364L10/16GDC: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10;...



Добавить отзыв о GoodRAM GYS1866D364L10/16GDC
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+10= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F4-2400C15Q-32GR
G.SKILL F4-2400C15Q-32GR Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
G.SKILL F4-2800C16Q-16GRR
G.SKILL F4-2800C16Q-16GRR Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2800 МГц; Пропускная способность: 22400 Мб/с; Объем: 4 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...


bg