rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GYG1600D364L10/8G. Отзывы о GoodRAM GYG1600D364L10/8G.
bg

GoodRAM GYG1600D364L10/8G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GYG1600D364L10/8G

Описание GoodRAM GYG1600D364L10/8G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10;...



Добавить отзыв о GoodRAM GYG1600D364L10/8G
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

G.SKILL F3-2400C11Q-32GAB
G.SKILL F3-2400C11Q-32GAB Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...
Team Group TED3L2G1600C11-S01
Team Group TED3L2G1600C11-S01 Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CA...


bg