rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти GoodRAM GYB1866D364L10/4G. Отзывы о GoodRAM GYB1866D364L10/4G.
bg

GoodRAM GYB1866D364L10/4G отзывы.

Вся память >> GOODRAM >> GoodRAM GYB1866D364L10/4G

Описание GoodRAM GYB1866D364L10/4G: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 10; Row Precharge Delay (tRP): 10; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о GoodRAM GYB1866D364L10/4G
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

NCP DDR2 800 DIMM 2Gb
NCP DDR2 800 DIMM 2Gb Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем памяти: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В;...
GoodRAM GY1866D364L9/8GDC
GoodRAM GY1866D364L9/8GDC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 15000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9;...


bg